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5V2.4A 六级能效充电器套片方案
今天我们为各位粉丝详细介绍PN8305与PN8370配合使用，轻松实现5V2.4A六级能效电源方案。
1.封装及脚位配置图
PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。
PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。
2.PCB及DEMO实物图
3.方案典型应用图
4.方案特性
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输入电压：90~265Vac全电压
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输出电压：5V
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输出电流：2.4A
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平均效率：≥79.94%(满足六级能效要求)
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待机功耗<75mW
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多重补偿（线补偿、CC补偿、温度补偿、轻载补偿）无需外部元件
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输出短路保护、输出过流保护，VDD过压保护，FB分压电阻开路、短路保护，电流侦测电阻Rcs短路保护，过温保护。
5.测试数据
6.EMC测试
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EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB
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ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求
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EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求
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Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求
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交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求
7.应用要点
PN8370工作在DCM模式，忽略传输瞬态Tr和Tf，导通时间、去磁时间和振荡时间分别为：
PN8370在T2时间内间接采样输出电压信号，为减小漏感振荡对采样的影响，最小T2时间应足够长(5V2.4A应用建议大于2.5us)：
备注：电源在小负载工况下，PN8370的Vcs=0.17V以避免音频噪音。
PN8305须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断，其最小导通时间由RT电阻设定：
因此RT电阻建议取值为:
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