中国半导体潜心发展自有核心技术才是根本

     中国积极扶植半导体产业，积极以大基金挹注扶植产业发展，并以建厂、并购重组为“蛙跳式”发展主要手段。不过当前却逐渐在行业圈内已形成一股论调，认为中国半导体能够潜心发展自有核心技术才是根本，切勿盲目“奢华”过度投资，低调冷静才是长远之计。

 

     根据中国国务院2015年5月颁布的“中国制造2025”计划，中国政府对半导体产业的长期目标是能够实现相当程度的集成电路自给自足。“中国制造2025”中给中国集成电路自给率的指标为2020年达到40%，2025年达到70%。

 

     不过IC Insights分析近日公然认为此目标太过“乐观”，认为中国缺乏核心技术下，要实现2025年此目标不太实际。IC Insights所持论调是资金层面不是问题，核心技术会是障碍，中国业者如何取得技术来源，绕过重重IC专利障碍，可能还面临很多关卡。

 

     目前中国国内如火如荼进行的内存投资潮，正在积极抢进32层3D NAND研发，预计位于武汉的长江存储将于2018年展开装机作业，后续进行试产;刚刚敲定落地的南京紫光晶圆厂也锁定内存。其背后都有国家政策扶植与大笔资金链支持。但问题是快速上马的内存芯片如何与协作技术伙伴携手可长可久，不走过去台湾也曾分为尔必达(Elpida)、美光(Micron)合作阵营核心技术仍受人所箝制的老路，已经证明行不通，中国大陆不断新盖内存晶圆厂如何杀出一条技术与量产成功的新模式路子，仍有待时间考验。

 

    尤其一旦中国内存量产，IC Insights分析，三星、海力士、美光、英特尔、东芝等大厂都可能会在专利上面做文章。

 

    除了专利问题，中国企业也通过并购手段能快速在技术问题上抄捷径。从2014年开始，过去两年中国试图通过收购国外半导体公司的方式来得到技术，但是IC Insights认为，现在绝大多数外国政府对中国在集成电路产业上的野心十分警惕，中国资本收购国外IC企业的难度已非常高。

 

    日前美国前总统欧巴马卸任前，科技咨询委员会即出台一分报告警示美国抑制中国的高新技术崛起，很可能会替未来中国企业收购之路埋下更多“添堵”变因。

 

    半导体行业资深专家莫大康分析时指出，当前中国投入内存晶圆生产已进入高峰期，今年后将进入设备安装阶段，未来一两年要做好量产的准备，工艺制程技术方面的突破仍是关键。

 

    莫大康指出“任何产能的扩充，只要有钱，相对是简单的，关键是要变成有效产能在全球竞争中胜出”，“建厂高潮造势重要，然而冷静更不可或缺”。

 

    SEMI中国总裁居龙面对建厂高潮也表达了喜忧参半。他认为，以目前中国各地建厂风潮与地方基金的投资积极度来看，很可能未来一两年将带给中国产能供过于求的风险。当然，风险还尚未来到前，拉动设备材料订单与资本支出投入，中国的成长动力不可否认较其他地区更为强劲。